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接觸式：４探針法測定-RT70V系列

在這里，我們將介紹接觸式電阻測量原理的概述（4探針法）（該原理的詳細(xì)說明在材料中）。

（*對于我們的產(chǎn)品，還有一個(gè)系統(tǒng)會(huì)根據(jù)電阻范圍使用不同的測量方法。）

四探針法主要用于接觸式情況，可以測量1E-3（1m）到1E + 9（1G）Ω/□電阻范圍。

這種測量方法是在廣泛領(lǐng)域中測量電阻的基礎(chǔ)。

●在四探針法中，將按照以下步驟進(jìn)行測量。

（1）將四個(gè)針狀電極直線地放在測量樣品上。

（2）兩個(gè)外部探頭之間流過恒定電流。

（3）通過測量兩個(gè)內(nèi)部探針之間的電位差來計(jì)算電阻。

如下圖所示，相同的測量原理用于電阻和薄層電阻的測量。

電阻（電阻率）

座阻力

我們的4探針測量系統(tǒng)是符合JIS和ASTM標(biāo)準(zhǔn)的測量方法和校正方法，已被用作行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)測量系統(tǒng)，尤其受到硅相關(guān)用戶的信賴。我會(huì)。

另外，關(guān)于可追溯性，我們使用符合NIST（美國國家標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究院）標(biāo)準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)樣品作為設(shè)備校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)，進(jìn)行認(rèn)真的裝運(yùn)前檢驗(yàn)。

* 4探針法和“ 4端子法”的測量原理相同，唯1的不同是與樣品接觸的電極部分的形狀不同。4探針的針距為1 mm =測量點(diǎn)：大約3 mm，與4端子探針相比，可以在非常小的點(diǎn)上進(jìn)行測量。另外，如在四端子法中一樣，通過消除在樣品上形成電極的需要可以提高工作效率。

此外，納普森的4針電阻測量設(shè)備符合日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)（JIS）和美國材料測試協(xié)會(huì)（ASTM）設(shè)定的以下標(biāo)準(zhǔn)。

日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

JIS H 0602-1995

硅單晶和硅晶片的四探針法電阻測量方法

JIS K 7194-1994

導(dǎo)電塑料四探針法電阻測試方法

美國材料試驗(yàn)學(xué)會(huì)

ASTM F 84-99（SEMI MF84）

用在線四點(diǎn)探針測量硅晶片電阻率的標(biāo)準(zhǔn)測試方法

ASTM F 374-00a

使用單配置程序的在線四點(diǎn)探針對硅外延層，擴(kuò)散層，多晶硅層和離子注入層的薄層電阻的標(biāo)準(zhǔn)測試方法

ASTM F 390-11

帶共線四探針陣列的金屬薄膜的薄層電阻的標(biāo)準(zhǔn)測試方法

ASTM F 1529-97

雙重配置程序的直插式四點(diǎn)探針的薄層電阻均勻性評估的標(biāo)準(zhǔn)測試方法

日本napson4探針法測量儀

測量儀：RT-70V>

使用JOG撥盤，厚度，溫度，PN輸入（RT-70V測試儀），易于操作
自檢功能，自動(dòng)量程切換，4種測量模式
具有厚度/溫度補(bǔ)償功能（用于硅）

<測量階段>

*根據(jù)目的和用途，可以從以下選擇測量階段。

（1）RG-7C [產(chǎn)品圖片左上]：電機(jī)自動(dòng)上下探針臺
（2）RG-5 [產(chǎn)品圖像左下方] ：帶手動(dòng)手柄的探針上下平臺
（3）RG-7S [產(chǎn)品圖片右上]：用于玻璃基板/薄膜樣品的XY工作臺
（4）TS-7D [產(chǎn)品圖像右下] ：便捷的探頭類型*平臺板是可選的。

測量規(guī)格

測量目標(biāo)

與半導(dǎo)體/太陽能電池相關(guān)的材料（硅，多晶硅，SiC等）
新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
擴(kuò)散樣本
硅基外延離子注入樣品
其他（*請與我們聯(lián)系）

測量尺寸

*組合測量取決于舞臺類型。

圓形：?300mm（12英寸），方形：?730x920mm，可廣泛使用。

測量范圍

［電阻（電阻率）］1μ?300kΩ? cm
［板電阻］ 5m?10MΩ/ sq